型号 | IRFB17N20D |
厂商 | International Rectifier |
描述 | MOSFET N-CH 200V 16A TO-220AB |
IRFB17N20D PDF | ![]() |
代理商 | IRFB17N20D |
标准包装 | 50 |
系列 | HEXFET® |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 16A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 170 毫欧 @ 9.8A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 5.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 50nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 1100pF @ 25V |
功率 - 最大 | 3.8W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商设备封装 | TO-220AB |
包装 | 管件 |
其它名称 | *IRFB17N20D |